삼성 전자, 전력 효율이 향상된 512GB DDR5 DRAM 개발 .. 인텔에 공급할 예정입니까?
삼성 전자가 단락을 줄여 전력 효율을 높이는 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25 일 밝혔다. 공정이 개선됨에 따라 트랜지스터에서 발생하는 단락 문제를 해결했습니다. 이 제품에는 ‘High-K Metal Gate'(HKMG)라는 프로세스가 적용되었습니다. HKMG 공정은 반도체 공정의 소형화로 인한 누설 전류를 방지하기 위해 고유 전율 (K) (High-K, Hi-K)의 재료를 적용하는 것을 말합니다. 삼성 전자 512GB DDR5 메모리. (사진 … Read more
