[IT-줌in] 삼성 전자, 차세대 반도체 용 3 나노 칩 생산을 위해 미국에 공장 설립 … 미국 텍사스에서 전기, 수도세 등 추가 감면 요청

[IT-줌in] 삼성 전자, 차세대 반도체 용 3 나노 칩 생산을 위해 미국에 공장 설립 … 미국 텍사스에서 전기, 수도세 등 추가 감면 요청

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-수도세 감면과 같은 추가 세금 공제를 요청하는 수정 된 제안서를 텍사스에 제출
-텍사스 주 오스틴에서 차세대 반도체 3nm 하이 엔드 칩을 만들 수있는 곳?

▲ 사진 = 삼성 전자는 2015 년 1 월 모바일 용 ‘128GB (기가 바이트) eUFS 2.0’을 양산 해 UFS 시장을 조성한 뒤 2016 년 2 월 ‘256GB eUFS 2.0’, 2017 년 11 월 ‘512GB eUFS 2.1’을 출시했다. , 1 년 후, 세계 최초의 ‘1TB eUFS’스토리지 용량이 두 배가되어 테라 바이트 시대를 열었습니다. [제공/삼성전자] Ⓒ 일간지 DB

삼성 전자는 지난 1 월 미국에서 가장 앞선 로직 칩 제조 공장을 짓기 위해 100 억 달러 이상을 투자 할 것을 고려하고 있었는데, 이는 더 많은 미국 고객을 유치하고 업계 선두 주자 인 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 따라 잡기), 삼성 전자의 미국 진출은 미리 결정된 사실이되었고, 텍사스의 수도세 감면과 같은 추가 세금 공제를 요청하는 수정 된 제안이 발표되었습니다. 삼성 전자는 향후 3 나노 미터의 하이 엔드 칩을 만들 수있는 텍사스 오스틴에서 세계 최대 메모리 칩 및 스마트 폰 제조업체를 찾고있는 것으로 알려졌다.

이에 삼성 전자가 100 억 달러 이상을 투자 할 반도체 공장 증설 투자에 대해 미국 텍사스 정부와 세금 감면 협상을 진행하는 동안 삼성 전자는 수도세 감면 등 추가 세금 공제를 요청하는 수정 된 제안을 제출했다 텍사스. 했다고합니다.

13 일 <매일경제> 독점 보고서에 따르면 삼성 전자는 텍사스에 반도체 공장 신축으로 인한 경제적 효과로 세금 감면을 요청하고 전기, 수도세 등 추가 감세를 요청했다.

▲ 사진 = 미국 조지 아주 브라이언 켐프 주지사가 조 바이든 대통령에게 보낸 SK 이노베이션 배터리 수입 금지 편지

보고서에 따르면 삼성 전자는 지난해 말보다 170 억 달러 (약 19 조원) 규모의 반도체 파운드리 (위탁 생산) 공장 증설에 투자했고 세금은 8550 만 달러 (약 9000 억원)에 달한다. ) 텍사스 및 재산세를 포함하여 20 년 이상. 면제 축소 여부에 대한 협상이 진행 중이며 텍사스는 대기업 유치를 위해 최대 10 년 동안 부동산 및 재산 증가의 전부 또는 일부를 면제하는 세금 감면 (AVL)을 제공합니다. 감면 보상을 요구하고 반도체 공장 신설로 인한 경제적 효과를 주도하고있다.

그러나 삼성 전자 측이 의도 한대로 최근 협상 속도가 거의 빨라지지 않았고 진전이 이루어지지 않았으며, 삼성 전자가 한국은 물론 뉴욕과 애리조나에서 새로운 후보를 고려하고있는 것으로 알려졌다.

이와 관련하여 삼성 전자는 최근 텍사스 주에 두 번째 제안을 제출하고 전기 및 수도세와 기타 비 현금 지원 등 유틸리티 비용 절감을 추가했다고 매일 경제가 전했다.

삼성 전자는 지난달 텍사스를 강타한 기묘한 파도로 전력과 물 공급망이 단절되면서 오스틴 반도체 공장을 강제 폐쇄하는 위기에 직면했다. 오스틴 공장은 한 달 동안 폐쇄되었지만 공장은 여전히 ​​정상화되지 않았습니다.

이 때문에 삼성 전자는 오스틴 공장의 분기 평균 매출액이 약 1 조원 정도 줄어들 것으로 예상하고있다. 두 번째 제안은 유틸리티 세율의 완화를 포함하는데, 이는 삼성의 위기와 폐쇄에 대한 불안을 반영한 것으로 해석 될 수있다.

삼성 오스틴 공장 인근에 위치한 또 다른 반도체 회사 인 NXP는 15 일까지 초기 재가동 검사를 완료 한 것으로 알려졌으며 이번 주 중순부터 본격적인 정상 가동에 들어갈 예정이다. 하지만 삼성 전자의 경우 인력과 자원을 모두 투입해도 4 월 초부터 본격적인 정상 가동을 기대할 수있다.

삼성 전자가 뉴욕과 애리조나의 후보지 변경을 배제하지 않고 텍사스가 감세 요청을 받아들이지 않으면 국내 확장을 계획하는 것으로 알려졌다.

한편, 삼성 전자 관계자는 세계 최대 메모리 칩과 스마트 폰 제조업체가 향후 3 나노 미터의 고급 칩을 생산할 수있는 시설로 텍사스 오스틴에 시설을 마련하기 위해 논의 중이라고 말했다. 본 증설 계획은 예정대로 변경 될 수 있으나 지금까지의 내용은 2022 년부터 2021 년 착공을 시작으로 주요 장비 설치를 목표로하고있다.

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