삼성 전자, HKMG 공정 최초로 적용된 ‘512GB DDR5 메모리’개발

삼성 전자, HKMG 공정 최초로 적용된 ‘512GB DDR5 메모리’개발

DDR5 메모리 전환을 가속화하기 위해 Intel과의 ‘강화’협력 삼성 전자가 업계 최대 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25 일 밝혔다. 동시에 인텔과의 협력을 강화하여 차세대 DRAM 인 DDR5 로의 전환을 가속화합니다. DDR5는 작년에 상용화 된 5 세대 DRAM입니다. 기존 DDR4보다 2 배 이상 빠른 처리 속도를 자랑합니다. 향후 데이터 전송 속도는 7200Mbps로 확장 될 것으로 예상됩니다. … Read more

삼성 전자, 업계 최초 HKMG 공정 기반 DDR5 DRAM 개발 성공

삼성 전자, 업계 최초 HKMG 공정 기반 DDR5 DRAM 개발 성공

16 기가비트 (Gb) 기반의 8 계층 TSV 기술을 이용해 삼성 전자가 개발 한 ‘DDR5 512GB 모듈’. (사진 = 삼성 전자) 삼성 전자는 하이 케이 메탈 게이트 (HKMG) 공정을 적용한 업계 최초 512GB (GB) DDR5 D 램 개발을 완료했다고 25 일 밝혔다. 차세대 컴퓨팅 시장을 목표로 적시에 상용화 할 계획이다. HKMG 공정은 반도체 공정의 소형화로 인한 … Read more