삼성 전자, 3 년 간 154 조원 투자 … 반도체 ‘슈퍼 사이클’더 타다

삼성 전자는 지난해 매출액의 25 %를 설비 투자와 연구 개발비로 재투자했다.  사진은 서울 서초구 삼성 전자 서초 사옥이다. [뉴스1]

삼성 전자는 지난해 매출액의 25 %를 설비 투자와 연구 개발비로 재투자했다. 사진은 서울 서초구 삼성 전자 서초 사옥이다. [뉴스1]

삼성 전자는 지난해 설비 투자 38.5 조원, 연구 개발비 21.2 조원을 투자 한 것으로 나타났다. 지난 3 년간 생산 시설 및 연구 개발에 투자 한 금액은 15 조 4,600 억원입니다. 특히 올해는 반도체 슈퍼 사이클 (슈퍼 붐)이 예상되며 투자는 더욱 늘어날 전망이다.

연구 개발비 21.2 조원, 사상 최고

10 일 삼성 전자가 발표 한 2020 년 사업 보고서에 따르면 지난해 회사의 설비 투자액은 38 조 4969 억원이다. 2018 년과 2019 년 각각 29 조원, 3986 억원, 26 조 8948 억원을 투자 한 것에 비해 10 조원 이상 증가한 것이다. 반도체 슈퍼 사이클의 정점 4 조 4000 억원을 기록한 2017 년 이후 두 번째로 큰 규모 다. 연구 개발비는 21 조 292 억원으로 역대 최고 다.

시설 투자 중 32 조 8,915 억원의 투자비 중 85 %가 반도체 사업에 투자됐다. 고급 프로세스로의 전환과 함께 규모가 커졌습니다. 반도체 위탁 생산 (파운드리)이 극 자외선 (EUV) 기반 공정을 도입하고 확대하면서 투자 비용이 증가했습니다. 파운드리 사업의 EUV 5 나노 공정 등 반도체 호황기에 앞서 선제 투자를했다.

디스플레이는 퀀텀 닷 (QD) 디스플레이 생산 능력 (DAPA) 확대와 중소형 신기술 프로세스에 주력하면서 투자 비용이 증가했다. 총 3 조 8,895 억원을 투자했다. 기타 시설에 1 조 7,159 억원을 지출했다.

고용이 4200 증가하여 110,000에 도달

시설 투자가 증가함에 따라 일자리도 증가했습니다. 지난해 말 기준 삼성 전자의 국내 직원은 109490 명이다. 2019 년 말에는 105,257에서 4,233이 증가했습니다.

특히 주목할 점은 R & D 투자 확대 다. 삼성 전자는 지난해 R & D에만 2 조 1,229 억원을 투자했다. 총 매출의 9 %에 해당합니다. 삼성 전자의 R & D 투자 비중은 2017 년 7 %에서 2018 년 7.7 %, 2019 년 8.8 %로 꾸준히 증가하고 있습니다.

지난해 삼성 전자는 연구 개발 투자를 통해 국내 특허 6648 건, 미국 특허 8520 건을 확보했다. 대부분은 스마트 폰, 스마트 TV, 반도체 관련 특허입니다. 회사가 보유한 특허는 전 세계적으로 19,7749 건 (작년 말 기준)으로 전년 대비 9.8 % 증가했다.

지난 3 년간 (2018 ~ 2020) 시설 투자와 R & D를 합산하여 총 154 조 5,910 억원을 기록했습니다. 삼성 전자는 2018 년 8 월 인공 지능 (AI), 바이오, 5 세대 이동 통신 (5G), 전자 부품 등 4 대 분야에 3 년간 180 조원 (국내 130 조원)을 투자했다. 2018 년 8 월 경제 활성화 조치 ”라고 말했습니다. 또한 40,000 명을 고용 할 계획을 세웠습니다. 그중 삼성 전자는 154 조원 이상을 투자했다.

9 일 삼성 전자가 발표 한 2020 년 사업 보고서에 따르면 지난해 연구 개발비는 전년 대비 1 조원 증가 해 총 2 조 1 천 2 백억원으로 역대 최고치를 기록했다.[연합뉴스]

9 일 삼성 전자가 발표 한 2020 년 사업 보고서에 따르면 지난해 연구 개발비는 전년 대비 1 조원 증가 해 총 2 조 1 천 2 백억원으로 역대 최고치를 기록했다.[연합뉴스]

증권 시장“미국 반도체 공장에 19 조원 투자”

삼성 전자는 올해 메모리와 시스템 반도체를 중심으로 대규모 투자를 이어갈 계획이다. 삼성 전자는 사업 보고서에서 “올해는 메모리 및 시스템 반도체 전 공정 확장 및 전환, 인프라 투자, 확장 투자 등 주력 사업 경쟁력 강화를 위해 지속적으로 투자 할 예정이다. 디스플레이 패널 (DP)의. ”

업계에 따르면 삼성 전자는 올해 DRAM 투자를 확대하고있다. 당초 평택 2 공장에 월 3 만장의 12 인치 웨이퍼를 추가 할 계획 이었으나이 양은 4 만장으로 늘렸다.

파운드리 시설에 대한 투자도 증가합니다. 평택 2 공장에 건설 될 5 나노 파운드리 라인의 규모가 28,000에서 43,000으로 증가했습니다. EUV 노광 장비도 빠르게 증가하는 파운드리 수요에 대응하기 위해이 파운드리 라인에 배치 될 것으로 알려져 있습니다. 중국 시안 2 공장 낸드 플래시 생산 라인 투자 규모는 업계 예상 5 만대에서 크게 늘어난 8 만대 규모 다.

삼성 전자 평택 캠퍼스 P2 라인 전경. [사진 삼성전자]

삼성 전자 평택 캠퍼스 P2 라인 전경. [사진 삼성전자]

증권 시장은 삼성 전자가 올 하반기 텍사스 오스틴에 파운드리 공장을 증설 할 것으로 내다봤다. KTB 투자 증권은 최근 보고서에서 “삼성 전자가 오스틴에 투자하기로 결정했다”며 “올 하반기 착공, 2023 년 양산 예정”이라고 전망했다. 투자 금액은 170 억원 (약 19 조원)이다. 삼성 전자는 “미확인”입장이다.

박형수 기자 [email protected]


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