[사설] 기억력도 긴장해야합니다 -e- 신문

US 마이크론 테크놀로지는 ’10 나노 급 4 세대 D 램 ‘(이하 1a D 램)을 양산하고있다. 삼성 전자와 SK 하이닉스보다 빠르다. 기존 10 나노 급 3 세대 (1z) 제품에 비해 집적도가 40 % 향상되고 전력 효율이 15 % 향상되었습니다. 마이크론은 세계 DRAM 메모리 반도체 업계 최초로 1a DRAM을 출시했습니다. 1a DRAM은 10 나노 (nm) 공정을 통해 생산 된 4 세대 DRAM을 말합니다.

관심은 마이크론이 D 램 업계 1 위인 삼성 전자와 SK 하이닉스에 앞서 1a D 램을 상용화했다는 점이다. 삼성 전자와 SK 하이닉스의 1a D 램 양산시기는 올해 하반기 다. 삼성 전자와 SK 하이닉스는 1a D 램에 극 자외선 (EUV) 공정을 적용하기 위해 관련 시설을 건설 중이다. 마이크론은 EUV를 사용하지 않고 기존의 아르곤 플루오 라이드 (ArF) 공정으로이 1a DRAM을 양산 한 것으로 알려졌다.

삼성 전자가 DRAM 세계 1 위가 된 지 30 년 만에 처음으로 추구를 허용했다. 물론 반도체 분야에서는 대량 생산시기뿐만 아니라 많은 경쟁 요인이 작용하고 있다고 전문가 분석가들은 적어도 차세대 메모리 개발에서는 마이크론이 더 빠른 것 같다고 말합니다. 마이크론은 또한 작년에 업계 최고 수준의 176 단 NAND 플래시를 출시했습니다. D 램 시장 3 위, 낸드 플래시 시장 5 위인 마이크론이 한국의 메모리 추격에 대해 진지하지 않다는 것은 분명하다.

한국도 후 발주자 추격에 휘말릴 수있다. 마이크론의 행동은 선구자로 읽어야합니다. Micron의 연속 출시 소식은 멋지다. 기업들도 긴장된 분위기에 있습니다. 반도체 부문은 몇 년 동안 내다 봤던 막대한 선제 적 투자를 동반해야합니다. 많은 투자 환경이이를 지원하지 않는 것 같습니다. 우리는 정부도 문제의 심각성을 인식하기를 바랍니다.