삼성 전자 “4 세대 10nm D 램 등으로 반도체 슈퍼 격차 이어 간다”
▲ 17 일 수원 컨벤션 센터에서 열린 삼성 전자 ‘제 52 차 정기 주주 총회’에서 김기남 부회장이 인사를하고있다. [에너지경제신문 여헌우 기자] 삼성 전자는 올해 4 세대 10 나노 급 D 램과 7 세대 V- 낸드 개발을 통해 메모리 반도체 분야에서 슈퍼 갭을 이어갈 의지를 보였다. 파운드리 부문에서는 5 나노 미터, 3 세대 제품 양산 계획을 … Read more