기초 과학 연구소, 양자점 반도체 효율 저하의 숨겨진 원인 규명

기초 과학 연구소, 양자점 반도체 효율 저하의 숨겨진 원인 규명

전자 충돌로 인한 궤도 전자 분포 모양 및 대역 내 증가 (Credit : IBS) © News1 기초 과학 연구소 (이하 IBS) 연구팀, 분자 분광학 및 동역학 연구 단장 (고려 대학교 화학과 교수)은 양자를 이용한 반도체의 성능을 저해하는 새로운 요인을 발견했다. 점. 3 일 IBS에 따르면 퀀텀 닷은 지름이 2 ~ 10nm (나노 미터, 10 억분의 … Read more

나노 미터 크기의 양자점 반도체 성능 저하의 새로운 원인 : 동아 사이언스

나노 미터 크기의 양자점 반도체 성능 저하의 새로운 원인 : 동아 사이언스

IBS “전도대에서 전자와 정공 결합의 1,000 조분의 1 단위로 처음 관찰” IBS “전도대에서 전자와 정공 결합의 1,000 조분의 1 단위로 처음 관찰” [IBS 제공. 재판매 및 DB 금지] 기초 과학 연구원 (IBS)은 조민형 (고려 대학교 화학과 교수) 연구팀이 분자 분광학 및 역학 연구 센터 장 (고려 대학교 화학과 교수)이 시간 분해 분광법을 사용하여 양자점 반도체의 … Read more