16 기가비트 (Gb) 기반의 8 계층 TSV 기술을 이용해 삼성 전자가 개발 한 ‘DDR5 512GB 모듈’. (사진 = 삼성 전자) 삼성 전자는 하이 케이 메탈 게이트 (HKMG) 공정을 적용한 업계 최초 512GB (GB) DDR5 D 램 개발을 완료했다고 25 일 밝혔다. 차세대 컴퓨팅 시장을 목표로 적시에 상용화 할 계획…