삼성 전자는 하이 케이 메탈 게이트 (HKMG) 공정을 적용한 업계 최초 512GB (GB) DDR5 D 램 개발을 완료했다고 25 일 밝혔다. 차세대 컴퓨팅 시장을 목표로 적시에 상용화 할 계획이다.
HKMG 공정은 반도체 공정의 소형화로 인한 누설 전류를 방지하기 위해 고유 전율 (K) (High-K, Hi-K)의 재료를 적용하는 것을 말합니다. 이를 통해 생산 된 DDR5 DRAM 모듈은 기존 공정 대비 약 13 %의 전력 소모를 줄일 수 있습니다.
삼성 전자는 DDR5 DRAM 기반의 대용량 모듈이 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터 센터, 인공 지능 등 선진 산업 발전을위한 핵심 솔루션이 될 것으로 기대하고있다. 범용 제품으로 최초로 8 단 TSV (Through Silicon Via) 기술이 DDR5 DRAM에 적용되었습니다.
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DDR5는 차세대 DRAM 표준이며 최대 전송 속도가 7200Mbps입니다. 기존 DDR4보다 2 배 이상 빠르며 1 초에 2 개의 UHD 급 영화 (약 30GB)를 전송할 수 있습니다.
손영수 삼성 전자 메모리 사업부 제품 기획 팀장은“삼성 전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다”고 말했다. 에너지 효율을 높이면서 자율 주행, 스마트 시티, 의료 산업 등으로 응용 분야를 확대 할 고성능 컴퓨터 개발에 더욱 박차를 가할 것으로 기대된다”고 말했다.
☞ 용어 : HKMG (High-K Metal Gate)
HKMG는 유전율이 높은 물질을 적용하여 공정이 미세 해짐에 따라 증가하는 누설 전류를 효과적으로 감소시키는 공정 기술입니다. 이는 기존 기술에 비해 제품의 전력 소모를 줄이고 회로 집적도를 높일 수있는 장점을 제공합니다.